تبلیغات
دانش نانو
قالب وبلاگ
دانش نانو
دانستنی هایی درباره دانش و فناوری نانو 
نویسندگان

دکتر آرش دقیقی، پژوهشگر ایرانی موفق به ثبت اختراعی با عنوانDouble Insulating Silicon on Diamond Device «افزاره سیلیكون روی الماس با عایق دو لایه» به شماره 2010/0295128 US در اداره‌ی ثبت اختراعات آمریکا USPTO شد. اختراع دوم ایشان با عنوان «روش بهبود خطی مدارات فرکانس رادیویی ماسفت سیلیکون روی عایق» نیز در اداره‌ی ثبت اختراعات آمریکا در مرحله انتشار(Publish) است.

 

دکتر آرش دقیقی، با مدرك دكترای مهندسی برق گرایش ادوات مایكروالكترونیك از دانشگاه ایالتی واشنگتن، در حال حاضر، عضو هیئت علمی دانشگاه شهركرد است. وی در گفتگو با بخش اخبار سایت ستاد فناوری نانو گفت: «پیشبرد فناوری كوچك‌سازی افزاره و بهبود رفتار مدارات سیلیكون روی عایق، هدف اصلی من در انجام تحقیقاتی بوده که منتج به اختراع شده ‌است».

 

دکتر دقیقی با بیان این مطلب که افزایش جریان نشتی -كه ناشی از كاهش طول كانال به اندازه چندین نانومتر است- از مهم‌ترین موانع كوچك‌سازی نانوافزاره‌ها است، گفت: «در این اختراع با استفاده از نانوساختاری جدید، جریان نشتی افزاره كاهش یافته و امكان اِسكِیلینگ برای نسل بعدی فراهم شده‌است. نتایج شبیه‌سازی كاهش 40 تا 200 درصدی جریان نشتی را برای افزاره‌ی 22 نانومتری سیلیكون روی عایق نشان می‌دهد. همچنین با كوچك‌سازی افزاره تا محدوده نانومتری، مقاومت بدنه افزایش زیادی یافته است، بطوریكه تغییرات پاسخ فركانسی ترانزیستور روی هدایت خروجی نانوترانزیستور باعث افزایش اثرات غیرخطی مدارات شده‌است».

 

وی ادامه داد: «با استفاده از فناوری نانو در این پتنت، می‌توان مقاومت بدنه را تنظیم نمود. همچنین نتایج شبیه‌سازی تقویت كننده نویز پایین 45 نانومتر، مؤید بهبود رفتار خطی مدار است».

 

 وی درباره کاربرد اختراع خود این‌گونه توضیح داد: «لازم است در این مورد با ذكر مثالی توضیح مختصری در مورد روند پیشرفت فناوری ساخت ادوات نیمه‌هادی ارایه دهم. همگی ما با موضوع بروزرسانی كامپیوتر آشنایی داریم. اگر دقت كنیم، هزینه‌ای كه برای بروزرسانی كامپیوتر شخصی خود انجام می‌دهیم در یك دوره 3 ساله تقریباً یكسان است. در صورتیكه در این دوره كارآیی سیستم چندین برابر افزایش پیدا كرده‌است. حافظه دیسك سخت، حافظه موقت و حجم پردازش اطلاعات توسط واحد پردازنده مركزی افزایش یافته‌است. دلیل آن، رشد صنعت نیمه‌هادی است. این رشد، در صنایع دیگر به ندرت دیده می‌شود. بطور مثال، در صنعت خودروسازی، انتظار آن نمی‌رود كه سرعت خودرو در طی 3 سال، 2 برابر شود. دلیل اصلی رشد صنعت نیمه‌هادی، تعهد شركت‌های فعال در این صنعت به مفهوم قانون مور است كه بطور ساده بیان می‌نماید تعداد ترانزیستور در مدارات مجتمع حدوداً هر یك سال و نیم دو برابر می‌شود. گسترش مفهوم این قانون به تمامی زیر مجموعه‌های صنعت نیمه‌هادی منتج به رشد سریع آن شده است. به همین دلیل، كوچك‌سازی مستمر ترانزیستور انجام یافته است كه تحت عنوان اِسكِیلینگ از آن ذكر می‌شود. از مهم‌ترین موانع كوچك‌سازی مستمر، افزایش جریان نشتی ترانزیستور و روند صعودی توان مصرفی مدارات است».

 

دکتر دقیقی افزود: «با توجه به پیشرفت فناوری كوچك‌سازی افزاره نیاز به كاهش جریان نشتی و بهبود مشخصات الكترواستاتیكی ترانزیستور احساس می‌شود. كاستن پیچیدگی طراحی و عدم افزایش توان مصرفی لوازم الكترونیك قابل حمل از جمله محاسن بهبود خطی مدارات است».

 

شایان ذکر است امكان استفاده از این دستاورد در صنعت نیمه‌هادی و طراحی مدارات الكترونیك مجتمع بطور گسترده وجود دارد.

 

محقق طرح درباره شرط لازم برای تحقق تجاری‌سازی اختراع خود در داخل كشور گفت: «ایجاد بسترهای لازم جهت طراحی، تولید و ساخت مدارات مجتمع شرط لازم برای تحقق تجاری‌سازی است. استفاده از این اختراع در ادوات الكترونیكی فركانس رادیویی و كاربرد آن برای پیشبرد اهداف كوچك‌سازی ترانزیستور، باعث بهبود كارآیی آی‌سی‌ها می‌گردد. تبدیل شدن نتایج تحقیقات به محصول مشخص، آمادگی بستر فوق را می‌طلبد».

 

دکتر دقیقی این اختراع‌ها را حاصل تحقیقات شخصی و طرح‌های برون دانشگاهی عنوان کرد. وی حمایت و پرداخت لازم از سوی دانشگاه برای ثبت اختراع و ثبت امتیاز لازم جهت ارتقای مفهوم پتنت را از موانع و مشکلات پیش روی محققانی که قصد ثبت اختراع دارند، عنوان کرد، همچنین آمادگی خود را برای همکاری و ارایه دانش فنی خود به صنعت و سرمایه‌گذاران علاقمند اعلام کرد.

 

عضو هیئت علمی دانشگاه شهرکرد، حمایت ستاد ویژه توسعه فناوری نانو از ثبت پتنت را جسورانه دانست و گفت: «قطعاً عدم پرداخت حمایت‌های مالی و غیر مادی به این موضوع می‌تواند این امر را دچار مشكل جدی نماید. بنابراین، به عنوان استاد دانشگاه و پژوهشگر، لازم می‌دانم مراتب تشكر عمیق خود از مدیران و دست‌اندركاران ستاد داشته باشم».

 

وی در پایان یادآور شد: «حمایت‌های ستاد ویژه توسعه فناوری نانو از اختراع 80% مبلغ كل ثبت اختراع است. توقف پرداخت حمایت تشویقی برای پتنت و الزام مخترع به پرداخت 20% حق ثبت اختراع، بطور حتم بر روند ثبت تاثیرگذار است. با توجه به اهمیت مفهوم پتنت و مقایسه آماری آن با دیگر مواردی كه توسط ستاد نانو شامل پرداخت حمایت می‌گردد، به نظر می‌رسد كه حمایت تشویقی مالی و امتیازی به مراتب بیشتر از یك مقاله ساده به پتنت باید تعلق گیرد. با یك نگاه آماری به موضوع، اهمیت آن آشكار می‌گردد. لازم است از دید گرایش تخصصی به موضوع توجه خاصی شود. بطور حتم تفاوت آماری زیاد مقالات با ضرایب تاثیر متفاوت و پتنت‌های ثبت شده در رشته‌های مختلف دانشگاهی می‌تواند الهام بخش راهكارهای جدیدی در میزان پرداخت حمایت تشویقی و نحوه امتیاز بندی باشد».


طبقه بندی: اخبار فناوری نانو، 
[ جمعه 1 اردیبهشت 1391 ] [ 04:44 ب.ظ ] [ سحر ]
.: Weblog Themes By Pichak :.

درباره وبلاگ


درود بر همه ایرانیان شریف
در این وبلاگ مطالبی در مورد دانش و فناوری نانو قرار داده میشود كه امیدوارم مورد توجه شما قرار گیرد.
به این امید كه روزی ایرانی بر فراز قله های دانش قرار گیرد..

آمار سایت
بازدیدهای امروز : نفر
بازدیدهای دیروز : نفر
كل بازدیدها : نفر
بازدید این ماه : نفر
بازدید ماه قبل : نفر
تعداد نویسندگان : عدد
كل مطالب : عدد
آخرین بروز رسانی :
امکانات وب